[发明专利]用于薄半导体的平板化背侧处理在审
| 申请号： | 201610693974.1 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN106129000A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 阿尔温德·钱德拉舍卡朗 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于薄半导体的平板化背侧处理。本发明揭示一种半导体制造方法，其包括将第一裸片附接到衬底面板。所述方法还包括在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板。所述方法进一步包括在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化。在薄化之前将所述裸片附接到所述衬底面板免除在处理薄半导体时使用载体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 平板 化背侧 处理 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，所述方法包含：将第一裸片附接到衬底；在将所述第一裸片附接到所述衬底之后，将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底；在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化，其中所述薄化暴露至少一个通孔；在薄化后，将隔离层沉积于所述第一裸片上；在所述隔离层中图案化互连件；及将封装连接件沉积于所述第一裸片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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