[发明专利]一种多晶硅铸锭用退火工艺在审
| 申请号： | 201610693915.4 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106087065A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘波波;贺鹏;蔺文;宗红梅 | 申请（专利权）人： | 西安华晶电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅铸锭用退火工艺，包括以下步骤：步骤一、第一次退火：多晶硅铸锭过程中长晶结束后，经50min～70min将多晶硅铸锭炉的加热温度降至T1，并保温2h～3h；其中，T1＝1250℃～1280℃；步骤二、第二次退火：经50min～70min将多晶硅铸锭炉的加热温度由T1降至T2，并保温2h～3h；T2＝900℃～950℃。本发明工艺步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，分两次进行退火，第一次退火根据低压状态下硅的软化点合理设定退火温度，第二次在低温条件下进行退火使硅晶格应力得到有效释放，提高多晶硅铸锭成品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭用退火工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：步骤一、第一次退火：多晶硅铸锭过程中长晶结束后，经50min～70min将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度降至T1，并保温2h～3h；其中，T1＝1250℃～1280℃；步骤二、第二次退火：经50min～70min将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度由T1降至T2，并保温2h～3h；T2＝900℃～950℃。
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