[发明专利]一种CMOS图像传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201610693429.2 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106057842A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 范洋洋;何亮亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的制备方法，包括：执行步骤S1：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行P型离子掺杂；执行步骤S2：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行N型源漏极离子注入；执行步骤S3：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行退火处理；执行步骤S4：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行P型源漏极离子注入。本发明通过改善像素器件光电二极管区域的白色像素点，以提高产品良率，而对Image Level、FWC测试值无影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述CMOS图像传感器的制备方法，包括：执行步骤S1：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行P型离子掺杂；执行步骤S2：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行N型源漏极离子注入；执行步骤S3：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行退火处理；执行步骤S4：对CMOS图像传感器之像素器件光电二极管区域进行P型源漏极离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
