[发明专利]一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法在审
| 申请号： | 201610693426.9 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106098538A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 唐在峰;吕煜坤;任昱;许进 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件；步骤S2：在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜；步骤S3：对所述无膜质保护之区域所生长的致密性氧化物薄膜进行膜层厚度监测。本发明通过利用晶边刻蚀技术，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，并在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用所述生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜，不仅有效阻隔金属离子扩散污染，而且保证工艺稳定，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 半导体 晶圆晶边 金属 扩散 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，其特征在于，所述降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：执行步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件；执行步骤S2：在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
