[发明专利]透射电子显微镜样品结染色的方法有效
| 申请号： | 201610692332.X | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106198147B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈强;陈胜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种透射电子显微镜样品结染色的方法，包括：切割样品的第一侧面至距离待测结侧向地距离第一预定厚度的SiO2的位置处；使用第一化学试剂去除第一侧面上剩余的全部SiO2；使用第二化学试剂去除待测结中的掺杂硅；完成透射电子显微镜样品的第二侧面的切割制备，形成透射电子显微镜样品薄片，其中离子束不直接切到Si，而侧向地保留距离待测结的第二预定厚度的SiO2。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 电子显微镜 样品 染色 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透射电子显微镜样品结染色的方法，其特征在于包括：第一步骤：切割样品的第一侧面至距离待测结侧向地距离第一预定厚度的SiO2的位置处；第二步骤：使用第一化学试剂去除第一侧面上剩余的全部SiO2；第三步骤：使用第二化学试剂去除待测结中的掺杂硅；第四步骤：采用聚焦离子束完成透射电子显微镜样品的第二侧面的切割制备，形成透射电子显微镜样品薄片，其中离子束不直接切到Si，而侧向地保留距离待测结的第二预定厚度的SiO2；采用化学试剂对所述透射电子显微镜样品薄片进行化学染结。
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