[发明专利]多态相变存储器单元器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610692256.2 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106299112B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 许震;刘波;高丹;王维维;宋志棠;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述上电极相连接，另一端与所述下电极相连接。本发明的多态相变存储器单元器件及其制备方法通过在相变材料层结构中设置至少两层具有不同电阻值的相变材料层，可以形成多个具有一定区分度的稳定电阻，通过不同大小的脉冲操作，可以实现多态存储；多态相变存储器单元器件结构中不同相变材料层之间的电阻差异，不受热影响，更加稳定；且通过调节不同相变材料层的电阻值，可以具有更大的电阻区分。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多态相变存储器单元器件，其特征在于，所述多态相变存储器单元器件包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述上电极相连接，另一端与所述下电极相连接； 所述相变材料层为L型相变材料层，各所述相变材料层由外至内依次平行排布，且各所述相变材料层的两端面相平齐；由外至内各层所述相变材料层的厚度依次增大。
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