[发明专利]可以生成负离子的粉体材料及其制备方法在审
申请号: | 201610690936.0 | 申请日: | 2016-08-20 |
公开(公告)号: | CN106310523A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 姚清群 | 申请(专利权)人: | 成都云士达科技有限公司 |
主分类号: | A61N1/44 | 分类号: | A61N1/44;A61L9/22;B01D53/74 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了可以生成负离子的粉体材料及其制备方法,所述粉体材料由以下重量份计的成分组成:电气石材料 30~60份;混合稀土材料或氧化稀土材料30~50份;半导体催化材料8~18份;辅助激发材料 8~20份;所述制备方法包括以下具体步骤:将电气石材料粉碎,并焙烧;将焙烧后的电气石材料加入研磨设备中进行超细粉碎;研磨处理即将结束时,加入表面处理剂进行表面处理;将混合稀土材料或者氧化稀土材料研磨至粒径分布小于1μm、半导体催化材料研磨至粒径分布小于0.5μm、辅助激发材料研磨至粒径分布小于0.2μm;粉体材料能够自动的释放负离子;制备方法,可以制备出可以生成负离子的粉体材料。 | ||
搜索关键词: | 可以 生成 负离子 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
可以生成负离子的粉体材料,其特征在于:由以下重量份计的成分组成:电气石材料 30~60份;混合稀土材料或氧化稀土材料 30~50份;半导体催化材料 8~18份;辅助激发材料 8~20份。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都云士达科技有限公司,未经成都云士达科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610690936.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可翻转式多面孔钻削加工夹具
- 下一篇:一种用于针齿壳的加工夹具