[发明专利]一种像素bank及其制作方法、发光二极管有效

专利信息
申请号: 201610683398.2 申请日: 2016-08-18
公开(公告)号: CN106058079B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管,其中,像素bank的制作方法包括步骤:A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;C、对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank;D、然后进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质,节约了制作成本;由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极,还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻,减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
搜索关键词: 一种 像素 bank 及其 制作方法 发光二极管
【主权项】:
1.一种像素bank的制作方法,包括步骤:沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank,其特征在于,所述沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光的步骤之前,还包括步骤:在基板上沉积透明像素电极薄膜,在所述透明像素电极薄膜上沉积反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;所述用于制作像素bank的负性光阻薄膜沉积于所述反射金属薄膜上;所述对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank的步骤之后,还包括步骤:对所述像素bank进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;以所述像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。
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