[发明专利]一种像素bank及其制作方法、发光二极管有效
| 申请号: | 201610683398.2 | 申请日: | 2016-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN106058079B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
| 发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
| 地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管,其中,像素bank的制作方法包括步骤:A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;C、对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank;D、然后进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质,节约了制作成本;由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极,还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻,减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 像素 bank 及其 制作方法 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种像素bank的制作方法,包括步骤:沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank,其特征在于,所述沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光的步骤之前,还包括步骤:在基板上沉积透明像素电极薄膜,在所述透明像素电极薄膜上沉积反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;所述用于制作像素bank的负性光阻薄膜沉积于所述反射金属薄膜上;所述对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank的步骤之后,还包括步骤:对所述像素bank进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;以所述像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610683398.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄板类零件宽度及厚度快速测量装置
- 下一篇:一种多功能座架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





