[发明专利]评估加工件特性的方法、加工件及形成光感层的方法有效
| 申请号： | 201610683307.5 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106711056B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 庄国胜;周友华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明揭露一种评估加工件特性的方法、加工件及形成光感层的方法。评估离子植布加工件特性的方法包含：在基材上形成一光感层，以形成一加工件，该光感层包含一光感材料。接着，在该加工件上进行离子植布。对该加工件进行辐射。计算该加工件的一光学强度。离子植布图案由光学强度结果评估。光感材料的一化学结构在离子植布时改变。加工件透过恢复光感材料的化学结构或是通过化学物质移除离子干扰的光感材料。可加快分析离子植布的时程，且容易观察，加工件还可回收再利用。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 工件 特性 方法 形成 光感层 | ||
【主权项】：
1.一种评估离子植布加工件特性的方法，其特征在于，包含：/n在基材上形成光感层，以形成加工件，所述的光感层包含光感材料；/n在所述的加工件上进行离子植布；/n对所述的加工件进行辐射，使得光源均匀散布在所述的加工件；以及/n基于辐射中穿过所述的加工件的穿透光，计算所述的加工件的光学强度分布图。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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