[发明专利]一种激光退火装置及其控制方法有效
申请号: | 201610681322.6 | 申请日: | 2016-08-17 |
公开(公告)号: | CN106098599B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 张治超;张小祥;刘明悬;郭会斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种激光退火装置及其控制方法,涉及薄膜制备技术领域。通过调光元件的开启和关闭,控制激光器照射在调光板上对应位置的发射源的通过或阻断,以在待退火膜层上形成与预设退火图案相匹配的退火图案,对待退火膜层进行退火。退火图案能够根据预设退火图案进行相应的调整改变,实现同一激光退火装置的多产品共用,节省了对每款产品配备专用退火掩膜版的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,其特征在于,包括:激光器,所述激光器设置有多个发射源;调光板,所述调光板设置于所述激光器与待退火膜层之间,所述调光板上安装有多个呈矩阵形式排列的调光元件;其中,所述调光板上的至少一部分调光元件与所述发射源的位置一一对应,所述调光元件在开启状态下,用于使与该调光元件位置对应的发射源发出的激光照射至所述待退火膜层,或在关闭状态下,用于对与该调光元件对应位置的发射源发出的激光进行阻断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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