[发明专利]一种III‑氮化物半导体发光器件图形化衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201610673503.4 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106229399A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;李庆跃;刘建哲;吴宗泽;徐良;李凯 | 申请（专利权）人： | 东晶电子金华有限公司;浙江东晶博蓝特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司33103 | 代理人： | 胡杰平 |
| 地址： | 321016 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体是一种III‑氮化物半导体发光器件图形化衬底及其制备方法，衬底表面蚀刻出尽可能多的凸状图形，图形可以是多边体，多边体的侧壁形成阶梯型，阶梯型侧壁有尽可能多的侧壁面。所述III‑氮化物半导体发光器件图形化衬底的制备方法，衬底表面的凸状图形经多次光刻及刻蚀工艺制成，具体包括衬底上形成第一次光刻图形的第一阶段；已经形成第一光刻图形的衬底上，形成与第一光刻图形部分叠加的第二光刻图形的第二阶段；将已经形成第一光刻图形与第二光刻图形的衬底蚀刻成型的第三阶段。本发明形成阶梯型侧壁以提高基板表面侧壁密度，最大限度确保倾斜度；采用多次光刻及刻蚀技术，以提高图形表面光折射及散射最终提高外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 半导体 发光 器件 图形 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑氮化物半导体发光器件图形化衬底，包括衬底、缓冲层、N型III‑氮化物薄膜层、III‑氮化物量子阱构成的发光层、P型III‑氮化物薄膜层、透明电极层、N型金属电极层、焊接电极、透光性保护膜，其特征在于：所述衬底表面蚀刻有尽可能多的不同形状的凸状图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东晶电子金华有限公司;浙江东晶博蓝特光电有限公司，未经东晶电子金华有限公司;浙江东晶博蓝特光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610673503.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
