[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610664839.4 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107017244B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 胡嘉欣;谢仲朋;杨忠杰;陈柏年;锺怡萱;林峪群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的一些实施例提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n一虚设鳍状结构，设置于一基底上；/n一虚设栅极结构，设置于一部分的该虚设鳍状结构上；/n一第一层间介电层，该虚设栅极结构嵌入于其中；/n一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层上；以及/n一电阻导线，由导电材料形成，且嵌入于该第二层间介电层，/n其中在平面图中，该电阻导线与该虚设栅极结构重叠，且该虚设栅极结构包含设置于该虚设鳍状结构上的二或多个虚设栅极电极，该些虚设栅极电极沿着一第一方向延伸，且沿着垂直于该第一方向的一第二方向排列，以及该电阻导线沿着该第一方向延伸。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610664839.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子装置
- 下一篇：半导体存储装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
