[发明专利]一种具有部分埋氧结构的IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610663626.X | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106158940A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王宇澄;周祥瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有部分埋氧结构的IGBT器件及其制造方法。本发明的IGBT器件在硅衬底(N‑型基区)的背面部分引入二氧化硅，改变了器件内部电势的分布，从而使耐压得到提高，可以起到稳定耐压的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 部分 结构 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有部分埋氧结构的IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.在硅衬底(1)的背面淀积一层氮化硅层；步骤2.在淀积了一层氮化硅层的硅衬底(1)的背面进行光刻和腐蚀，随后通过氧化在光刻和腐蚀出的区域内形成生长SiO2层(4)；然后将背面的氮化硅去除；步骤3.在硅衬底的上表面干氧生长栅氧层(6)；步骤4.通过低温炉管在所述栅氧层(6)上生长一层的多晶硅栅层(7)；步骤5.利用光刻腐蚀在器件内部，刻出栅极形状；然后在进行P型基区的自对准B注入并进行热扩散形成P阱(2)；步骤6.通过光刻得到N+发射区注入的窗口，然后在其中进行As注入并退火，形成N+发射区(5)。
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