[发明专利]一种Co‑SiC‑Mo‑W纳米焊层及其制备方法在审
申请号: | 201610662293.9 | 申请日: | 2016-08-13 |
公开(公告)号: | CN106181089A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 程敬卿;周乾坤 | 申请(专利权)人: | 安徽鼎恒再制造产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | B23K31/02 | 分类号: | B23K31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种Co‑SiC‑Mo‑W纳米焊层及其制备方法,其组分及各组分的质量份数为Co占65‑78份,SiC占6‑20份、Mo占5‑15份、W占5‑20份、B占3‑5份,Gr占0.5‑1.5份;制备方法包括以下步骤:(1)采用干式粉碎法制得Co‑SiC‑Mo‑W的纳米球;(2)将步骤(1)中制得的纳米球采用表面活性剂保护法混合研磨后的Gr、B制得混合粉末,并将该混合粉末制成焊丝;(3)将步骤(2)中制得的焊丝焊在工件表面制备Co‑SiC‑Mo‑W纳米焊层。本发明制成的纳米焊层具有组分搭配合理、耐磨性和耐腐蚀性强等优点,弥补了传统的焊条存在了结合强度低、耐磨性、耐腐蚀性差的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 co sic mo 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Co‑SiC‑Mo‑W纳米焊层,其特征在于:其组分及各组分的质量份数为Co占65‑78份,SiC占6‑20份、Mo占5‑15份、W占5‑20份、B占3‑5份,Gr占0.5‑1.5份。
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