[发明专利]一种掺铁钽酸锂晶体的制造方法在审
| 申请号： | 201610661768.2 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106192007A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张伟明;张鸿;陈晓强;陈超 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B33/02;C30B33/04 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种掺铁钽酸锂晶体的制造方法。在高纯氧化钽（Ta2O5）、碳酸锂（Li2CO3）中掺入0.1%wt—0.15%wt的Fe2O3，原料经过烘烤除湿、预混、压块、高温烧结等工序，然后放入长晶炉的铱坩埚中，在保护气氛下，通过提拉法（CZ）长晶，生长出大尺寸（3‑6英寸）钽酸锂单晶。掺铁钽酸锂晶体通过Fe3+的掺入，减少了长晶扩肩过程中及等径后期多晶的产生，有效的提高了晶体的质量，光折变性能、冲击韧性、光吸收系数，使其更适用于制作声表面波滤波器（SAW），能够完全取代不惨杂钽酸锂晶体，在声表面波滤波器（SAW）的应用，具有重大生产改进意义及市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺铁钽酸锂 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种掺铁钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，通过在碳酸锂和氧化钽原料中掺入比例0.1%wt～0.15%wt的Fe2O3，进行原料合成，使用铱坩埚、提拉法（CZ）生长晶体，并进行退火极化。
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