[发明专利]一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610656927.X | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106268906A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈伟华;季清斌;王锦涵;朱晓峰;丁竑瑞;李艳;鲁安怀;胡晓东;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料及其制备方法。本发明的氮化镓基光催化材料从下至上依次包括：n型氮化镓基衬底、氮化镓基外延层和金属层；本发明采用n型氮化镓基衬底同质外延生长GaN基光催化材料的方式，解决了异质外延生长由于晶格失配和热失配带来的外延层晶体质量差的问题，省去生长缓冲层等提高异质外延生长晶体质量的步骤；采用n型氮化镓基衬底使得衬底和MOCVD生长的GaN基外延层一起构成PIN异质结构，其内建电场使得光生载流子有效分离，大大提高了材料的催化活性；本发明制备的氮化物光催化材料在光照下对甲基橙等偶氮染料表现出优异的降解活性，显示出其在光催化领域潜在的应用价值，在污水处理方面具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同质 外延 生长 氮化 光催化 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料，其特征在于，所述光催化材料从下至上依次包括：n型氮化镓基衬底、氮化镓基外延层和金属层；其中，生长在n型氮化镓基衬底上的所述氮化镓基外延层为PIN异质结构，从下至上依次包括n‑GaN基外延层、多量子阱层和p‑GaN基外延层；所述金属层的材料采用化学惰性的金属；在n型氮化镓基衬底上同质生长n‑GaN基外延层，从而氮化镓基外延层与n型氮化镓基衬底仍然构成PIN异质结构，PIN异质结构的内建电场促使光生载流子有效分离，提高光催化材料的催化活性。
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