[发明专利]一种平面带孔硅靶加工工艺

摘要

一种平面带孔硅靶加工工艺，属于硅靶加工领域。该工艺包括以下工序:（1）平面硅靶板材毛坯的准备；（2）平面硅靶的开孔：选用普通加工设备，采用外径尺寸较加工孔径小2～4mm的薄壁细颗粒金刚石钻头，旋转磨削钻孔，钻孔不可一面钻通，需先一面钻入，再翻转另一面钻通；（3）平面硅靶的孔口倒角；（4）平面硅靶的孔径加工：选用普通加工设备，采用400～1200目范围内树脂金刚石圆柱状砂轮，旋转磨削去除孔径尺寸2～4mm预留量；（5）平面硅靶的平面精磨；（6）加工完毕后进行检测、清洗、烘干、包装工序。采用此工艺加工硅靶，可达到加工效率高、尺寸精度高、表面粗糙度好、生产成品率高的效果。

主权项

一种平面带孔硅靶加工工艺，其特征在于，该工艺包括以下工序步骤；（1）平面硅靶板材毛坯的准备：按照常规加工工艺，通过金刚石带锯下料、树脂金刚石砂轮磨削、钢线砂浆切割或金刚石线切割工艺手段，将硅靶除孔的其余外径尺寸全部加工完毕，将毛坯厚度尺寸预留加工余量；（2）平面硅靶的开孔：根据客户图纸孔径尺寸要求,选择外径尺寸小于孔径尺寸2～4mm的薄壁细颗粒金刚石钻头，用普通机械加工设备，采用刀具旋转、工件旋转、刀具与工件同时旋转均可的方式，在钻孔时保证旋转部件稳定高速，进刀磨削先缓慢，待刀具头进入基体1～2mm后可加快钻孔速度，钻孔不可一面钻通，需先一面钻入，再翻转另一面钻通；（3）平面硅靶的孔口倒角：选用普通加工设备，采用400～800目范围内树脂金刚石伞状砂轮，对开孔后的孔口进行旋转磨削倒角，倒角尺寸一次到位，即加工时考虑孔径尺寸的2～4mm预留量去除后，倒角尺寸达到图纸要求，孔口倒角必须两面均加工完毕；（4）平面硅靶的孔径加工：选用普通加工设备，采用400～1200目范围内树脂金刚石圆柱状砂轮，旋转磨削去除孔径尺寸2～4mm预留量；（5）平面硅靶的平面精磨：在硅靶板材的准备中厚度预留余量，选用普通平面磨床，采用800～1200目树脂金刚石片状砂轮，进行双面精磨，达到厚度尺寸精度与表面粗糙度要求；（6）加工完毕后进行检测、清洗、烘干、包装工序，完成加工。