[发明专利]一种HEMT器件

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种HEMT器件。与常规器件不同的是，本发明中自嵌位结构为在栅极的漏极一侧与AlGaN势垒层形成的凹槽型肖特基接触金属，并与源极之间进行电气连接。在器件工作时，是由肖特基接触金属部分和AlGaN势垒层共同形成的自嵌位结构来承受器件阻断电压，令栅下沟道处电势不随漏极电压的增加而改变，从而使栅极能够进一步减小、输出频率能进一步提高且输出功率进一步增强。与此同时，本发明所公布的制备工艺完全兼容传统工艺，不仅能应用于一般电路中，还有较强的频率性能，从而为GaN器件应用于毫米波电路领域奠定了坚实基础。

主权项

一种HEMT器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)、AlGaN层(3)和钝化层(4)；所述GaN层(2)和AlGaN层(3)形成异质结；所述AlGaN层(3)上层的一端具有金属源电极(7)，另一端具有金属漏电极(8)，其中金属源电极(7)和金属漏电极(8)与AlGaN层(3)形成欧姆接触；所述钝化层(4)上层还具有凹槽绝缘栅结构，所述凹槽绝缘栅结构由贯穿钝化层(4)延伸至AlGaN层(3)上层的凹槽、位于凹槽底部和侧面的绝缘栅介质(5)和位于绝缘栅介质(5)上的金属栅电极(6)构成，所述绝缘栅介质(5)还沿钝化层(4)上表面向两侧延伸至与金属源电极(7)和金属漏电极(8)接触；其特征在于，在凹槽绝缘栅结构与金属漏电极(8)之间的钝化层(4)和AlGaN层(3)中，具有金属电极(9)，所述金属电极(9)与金属源电极(7)之间电气连接，所述金属电极(9)用于在器件截止状态时嵌位二维电子气处的电势，使器件能够承受高电压。