[发明专利]SiO2不规则纳米晶体网状结构及其制备方法有效
申请号: | 201610649160.8 | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN106241818B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 杨喜宝;吕航;张丽娜;王莉丽;陆晓东;朱革;徐菁;刘秋颖;王斌 | 申请(专利权)人: | 渤海大学 |
主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12;B82Y40/00;C03C17/23 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 周楠;宋铁军 |
地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于纳米材料领域,公开了一种SiO2不规则纳米晶体网状结构及其制备方法。该方法是以SiO2粉和S粉作为反应源,在低真空系统的高温管式炉的高温区发生反应,并随着载气沉积到硅片衬底的低温区域上。该方法操作简单、产量高、成本低、安全环保、不需任何催化剂,通过高温条件下的化学反应即可完成。利用该方法制备出的SiO2不规则晶体纳米网具有介孔状结构,便于物质的转移与运输,并且因为它特殊的结构对开发材料性能的新领域有着重要的学术意义及应用。 | ||
搜索关键词: | sio2 不规则 纳米 晶体 网状结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SiO2不规则纳米晶体网状结构的制备方法,其特征在于:该方法步骤如下:第一步:将衬底基片和载物石英管进行预处理清洗干净,衬底基片需先用丙酮超声,再用去离子水清洗,石英管用酒精棉擦拭清洁干净;第二步:将SiO2粉和S粉混合均匀研磨后,放入石英管作为反应源,然后将预处理完毕的衬底基片沿着石英管放置在距离反应源20‑30 cm的位置,最后把装有反应源和衬底的石英管放入通入保护气体Ar的管式炉内;第三步:将管式炉升温至使反应源温度达到反应温度,衬底温度达到沉积温度,保温1.5‑2 hrs,反应结束后关闭保护气体Ar;取出石英管降至室温后,在衬底上沉积的即为白色絮状的SiO2不规则纳米晶体网状结构。
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