[发明专利]一种基于二维材料饱和吸收效应的全光阈值器件及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610647625.6 申请日: 2016-08-09
公开(公告)号: CN106125447B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 张晗;郑吉林;王可;杨正华;梁志明 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G02F1/35 分类号: G02F1/35
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种基于二维材料饱和吸收效应的全光阈值器件,包括沿光传播方向设置的光放大器以及与光放大器连接的饱和吸收体,饱和吸收体包括光波导以及包覆在光波导表面的二维材料。该全光阈值器件结构非常简单,且不需要使用非线性光纤或者非线性PPLN半导体器件,避免现有技术带来的损耗较大、稳定性差或者成本昂贵的缺陷。该全光阈值器件提高了接收信号的信噪比,改善了信号质量,有利于提高光通信系统接收判决性能。本发明还提供了该全光阈值器件的制备方法,包括:将二维材料包覆在光波导表面,形成饱和吸收体;将光放大器与饱与吸收体通过光纤连接,形成基于二维材料饱和吸收效应的全光阈值器件。该全光阈值器件可用于全光信号处理。
搜索关键词: 一种 基于 二维 材料 饱和 吸收 效应 阈值 器件 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种基于二维材料饱和吸收效应的全光阈值器件,其特征在于,包括沿光传播方向设置的光放大器以及与所述光放大器连接的饱和吸收体,所述饱和吸收体包括光波导以及包覆在所述光波导表面的二维材料,光脉冲信号经所述光放大器放大后的峰值功率大于或等于所述饱和吸收体的峰值饱和功率。
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