[发明专利]一种半导体设备及其制作方法在审
| 申请号： | 201610646333.0 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN106057746A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李学良;西里奥艾珀里亚科夫 | 申请（专利权）人： | 四川洪芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 629200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体设备，尤其是采用以铝硅酸盐为基本成分，如氧化铅铝硅酸盐氧化玻璃钝化的半导体设备。为了增加该半导体设备在反向偏压和高温热应力下的可靠性，该玻璃钝化覆盖层的表面和0.5μm‑5μm的次表层中常常含有浓度在0.1at%‑0.5at%范围的氟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括玻璃钝化覆盖层，其特征在于：所述玻璃钝化覆盖层的表面和0.5μm‑5μm厚的次表面层包含浓度在0.1at%‑0.5at%的氟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川洪芯微科技有限公司，未经四川洪芯微科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610646333.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
