[发明专利]一种具有热滞回功能的过温保护电路

摘要

本发明公开了一种具有热滞回功能的过温保护电路，包括基极电压产生电路、温度检测电路和输出级电路。基极电压产生电路，采用电阻分压方式产生固定的电压，用于给所述温度检测电路中的晶体管提供基极电压；温度检测电路，通过晶体管产生与温度有关的PTAT电流，根据温度变化使得PTAT电流的状态发生变化，PTAT电流的变化使得温度检测电路的输出电压的状态发生变化，从而实现根据温度是否超过温度阈值，得到不同的过温保护的输出；所述输出级电路，用于增大过温保护的驱动能力，且隔离外部电路对所述温度检测电路的影响。本发明电路结构简单、占用芯片面积小、功耗小，实现热滞回功能，具有良好的应用前景。

主权项

一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：包括基极电压产生电路、温度检测电路和输出级电路，所述基极电压产生电路，采用电阻分压方式产生固定的电压，用于给所述温度检测电路中的晶体管提供基极电压；所述温度检测电路，通过晶体管产生与温度有关的PTAT电流，根据温度变化使得PTAT电流的状态发生变化，PTAT电流的变化使得温度检测电路的输出电压的状态发生变化，从而实现根据温度是否超过温度阈值，得到不同的过温保护的输出；所述输出级电路，用于增大过温保护的驱动能力，且隔离外部电路对所述温度检测电路的影响，所述温度检测电路，包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2、电阻R1和电阻R2，所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6的源极接直流电源VDD，所述PMOS管M1的栅极和漏极相连并且与所述PMOS管M2的栅极、PMOS管M5的栅极、PMOS管M3的漏极、晶体管Q1的集电极相连接于节点D1；所述PMOS管M4的栅极和漏极相连并且与所述PMOS管M3的栅极、PMOS管M6的栅极、PMOS管M2的漏极、晶体管Q2的集电极相连接于节点D2；所述NMOS管M7的栅极和漏极相连并且与所述PMOS管M5的漏极相连接于节点D5；所述NMOS管M7的源极接地；所述NMOS管M8的栅极与节点D5相连接，所述NMOS管M8的漏极与PMOS管M6的漏极连接；所述晶体管Q1的基极与晶体管Q2的基极相连并且与基极电压产生电路的输出相连接于节点D3；所述晶体管Q1的发射极与电阻R1的一端相连接于节点D4；所述电阻R1的另一端连接到地；所述晶体管Q2的发射极与电阻R2的一端相连接；所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端相连接于节点D4；所述PMOS管M6的漏极与NMOS管M8的漏极相连接的节点，作为温度检测电路的输出端连接到输出级电路。