[发明专利]一种传输空穴的图像传感器像素结构在审

专利信息
申请号: 201610645702.4 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN106098718A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 王壮;旷章曲;刘志碧;李文杰;李轩;陈多金 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;郑哲
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种传输空穴的图像传感器像素结构,该结构中每组像素单元晶体管都是PMOS管,由于PMOS管本身输出噪声较小,因而可以减小输出噪声,且都放在N阱中隔离外围器件噪声;每组像素单元都可以有效的减小暗电流和增强抗辐照能力;传输空穴图像传感器二维像素阵列中金属连线使用两层金属线进行连接,仅使用第0层金属线和第1层金属线作为器件的控制线而实现采集图像信息功能,不使用第2层或更高层金属线作为器件控制线,可降低光电二极管Si表面上的介质高度,使得更多的光入射到光电二极管,能够提高小面积像素传感器的用光效率和转换增益,从而提高灵敏度;此外,还可以有效提高小面积像素图像传感器的图像品质。
搜索关键词: 一种 传输 空穴 图像传感器 像素 结构
【主权项】:
一种传输空穴的图像传感器像素结构,其特征在于,包括:多组在垂直和水平方向上排列成二维像素阵列的像素单元;其中,每一组像素单元均为四个像素排列成2×2的像素阵列;每一组像素单元中前列两个像素和后列两个像素分别在其列内共享选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区,且每一像素还各自包含一光电二极管与一空穴传输晶体管;每一列的两个像素中,其各自包含的光电二极管的正极与空穴传输晶体管相连,且这两个复位晶体像素各自的空穴传输晶体管均与共享的漂浮有源区相连,所述共享的漂浮有源区与复位晶体管相连,源跟随晶体管与选择晶体管相连,且漂浮有源区还与源跟随晶体管的栅极相连。
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