[发明专利]一种沟槽型肖特基二极管有效
| 申请号： | 201610644646.2 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106298976B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 任敏;张玉蒙;谢驰;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型肖特基二极管。本发明提出一种沟槽型肖特基二极管，通过在深槽内填充肖特基金属，增大肖特基结的有效面积，提高其电流能力；同时通过器件漂移区内的体电极结构引入横向电场以及适当增大漂移区掺杂浓度，使其在实现较高反向击穿电压的同时具有较低的正向导通压降响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 型肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型肖特基二极管，包括从下至上依次层叠设置的金属化阴极(1)、第一种导电类型半导体衬底(2)、漂移区(3)和金属化阳极(10)；所述漂移区(3)包括第一深槽(4)和第二深槽(5)，所述第二深槽(5)位于两侧的第一深槽(4)之间；所述第二深槽(5)中填充有多晶硅(7)，所述多晶硅(7)与第二深槽(5)侧壁之间具有薄氧化层(63)，多晶硅(7)和薄氧化层(63)的底部之间具有第一厚氧化层(62)，所述多晶硅(7)与金属化阳极(10)、薄氧化层(63)和第一厚氧化层(62)接触；所述第一深槽(4)的下端具有第二厚氧化层(61)，第一深槽(4)中还填充有肖特基金属(9)，所述肖特基金属(9)的下表面与第二厚氧化层(61)接触，肖特基金属(9)的上表面与金属化阳极(10)接触，且肖特基金属(9)的上层沿漂移区(3)的上表面向水平方向左右延伸至第二深槽(5)的边缘；所述第一深槽(4)与肖特基金属(9)相连的外侧壁及肖特基金属(9)的下表面具有第一种导电类型半导体轻掺杂区(8)。
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