[发明专利]一种FLASH存储器块擦电路及块擦方法有效

专利信息
申请号: 201610642577.1 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN107704193B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 马继荣;王庆林;乔瑛 申请(专利权)人: 紫光同芯微电子有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区五*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种FLASH存储器块擦电路和方法,所述FLASH存储器Flash存储器分为主存储区、特殊存储区和冗余存储区三个区域,其中,地址比较电路将输入地址与特殊存储区的缺陷地址进行比较,然后输出冗余存储区页面地址到冗余地址缓存器中,一直到所有需要在块擦时擦除的缺陷页面全部被缓存,从而根据输入的一个以上冗余页面地址,同时选中所述一个以上冗余页面进行多路页擦,并同时对主存储区块地址页面执行块擦。本发明可以在对主存储区块地址进行块擦的同时,对内部对应的冗余页面地址一起执行擦除动作,有效的降低了块擦的时间。
搜索关键词: 一种 flash 存储器 电路 方法
【主权项】:
一种Flash存储器块擦电路,所述Flash存储器分为主存储区、特殊存储区和冗余存储区三个区域,其特征在于,主存储区块擦电路连接主存储区;地址比较电路一端连接到主存储区块擦电路,另一端连接到冗余地址缓存器,冗余地址缓存器连接冗余存储区页擦多路输出电路,冗余存储区页擦多路输出电路连接到冗余存储区;读取电路一端连接地址比较电路,另一端连接到特殊存储区;地址比较电路将输入地址与特殊存储区的缺陷地址进行比较,然后输出冗余存储区页面地址到冗余地址缓存器中,一直到所有需要在块擦时擦除的缺陷页面全部被缓存,从而根据输入的一个以上冗余页面地址,同时选中所述一个以上冗余页面进行多路页擦,并同时对主存储区块地址页面执行块擦。
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