[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法，其方法包括步骤：首先沉积一空穴传输层于阳极上；然后沉积一量子点发光层于空穴传输层上；接着依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，随后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件；最后在制得的QLED器件四周滴加热膨胀材料与封装胶的混合物，封装盖片，紫外烘烤，封装完成。本发明通过在封装胶中混入热膨胀材料，不但可以保证封装效果，及时传导出热量，使得QLED器件稳定性增强。更重要的是，加入的热膨胀材料对热很敏感，可以根据温度变化调节其厚度，可以调节QLED器件发出的光在热膨胀材料层中透过的时间，调节透过热膨胀材料层后的光的波长，优化其显色性。

主权项

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、首先沉积一空穴传输层于阳极上；B、然后沉积一量子点发光层于空穴传输层上；C、接着依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，随后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件；D、最后在制得的QLED器件四周滴加热膨胀材料与封装胶的混合物，封装盖片，紫外烘烤，封装完成；热膨胀材料与封装胶的混合体积比为1：1‑2；所述热膨胀材料为碱金属硅酸盐和多元醇混合形成的热膨胀材料或者氧化物类热膨胀材料。