[发明专利]一种基于多孔硅的荧光生物传感器基底材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610641579.9 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN106442438A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 何蕾;贾振红;王佳佳 申请(专利权)人: 新疆大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 代理人: 姜万林
地址: 830000 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种基于多孔硅的荧光生物传感器基底材料的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、在常温环境下用电化学腐蚀法以P型单晶Si为基底制备多层多孔硅样品;S2、制备纳米金胶溶液;S3、将氨基化后的多孔硅样品浸泡在纳米金胶溶液中8小时以得到纳米金修饰后的样品;S4、将量子点溶液滴定在氨基化的多孔硅样品上常温下放置6小时,使得CdSe或ZnS量子点缓慢地沉积在多孔硅薄膜上;S5、对样品进行表面形貌表征、反射谱测量及光致发光测量。利用多孔硅的布拉格结构及纳米金的等离子体效应双重增强嵌入多孔硅中的CdSe/ZnS量子点荧光的方法,成功制备了一种具有较强荧光信号及生物兼容性的QDs/Au/PSi(量子点嵌入纳米金修饰的多孔硅)生物传感器基底材料。
搜索关键词: 一种 基于 多孔 荧光 生物 传感器 基底 材料 制备 方法
【主权项】:
一种基于多孔硅的荧光生物传感器基底材料的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、在常温环境下用电化学腐蚀法以P型单晶Si为基底制备多层多孔硅样品;S2、制备纳米金胶溶液;S3、将氨基化后的多孔硅样品浸泡在纳米金胶溶液中8小时以得到纳米金修饰后的样品;S4、将量子点溶液滴定在氨基化的多孔硅样品上常温下放置6小时,使得CdSe或ZnS量子点缓慢地沉积在多孔硅薄膜上; S5、对样品进行表面形貌表征、反射谱测量及光致发光测量。
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