[发明专利]绝缘栅双极性晶体管

摘要

本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管。在利用沟槽栅电极的绝缘栅双极性晶体管的情况下，当采用分割为多个元件分区的格子状沟槽时空穴的蓄积效果将增大从而导通电压降低，另一方面击穿耐量容易降低。在元件外分区(18)内也形成发射区(14)。在元件外分区(18)内没有发射区(14)的情况下，元件外分区(18)内的空穴向元件分区(6)内移动并从元件分区(6)排出到发射极。此时会产生空穴的集中现象从而使击穿耐量降低。当在元件外分区(18)中也形成发射区(14)时，空穴从元件外分区(18)向元件分区(6)移动的现象被抑制，从而能够防止击穿耐量的降低。

主权项

一种绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，具备半导体基板、被形成在该半导体基板的表面上的发射极和被形成在该半导体基板的背面上的集电极，在所述半导体基板内形成有与所述发射极导通的第一导电型的发射区、与所述集电极导通的第二导电型的集电区、通过所述集电区而与所述集电极分离的第一导电型的漂移区、将所述发射区和所述漂移区分离的第二导电型的体区，并且，在所述半导体基板上形成有从所述半导体基板的表面起到达至所述漂移区的沟槽，在俯视观察所述半导体基板时，所述沟槽将所述半导体基板的表面分割为多个分区，当将通过所述沟槽而被分割为预定面积以下的分区设为元件分区，并将元件分区以外的区域设为元件外分区时，在所述元件分区与所述元件外分区双方内均形成有所述集电区、所述漂移区、所述体区和所述发射区，在俯视观察所述半导体基板时，所述元件分区内的发射区的合计面积与所述元件外分区内的发射区的合计面积相比较大。