[发明专利]基于逆压电效应的3D芯片封装冷却结构

摘要

一种微电子技术领域的基于逆压电效应的3D芯片封装冷却结构，包括：封装3D芯片的封装腔和分别与封装腔左右两侧相连的振动驱动腔；所述的封装腔内设有沿厚度方向堆叠的若干芯片，上下两层芯片之间、底层芯片与封装腔之间均设有储存块，所述的储存块横向排布在上下层间形成若干横向微通道；所述的振动驱动腔内设有压电驱动器，所述的基于逆压电效应的3D芯片封装结构通过密封处理内部充注冷却工质，所述的冷却工质在压电驱动器的振动驱动下在微通道内震荡流动。本发明能够利用压电片的逆压电效应，驱动冷却工质在芯片间的微通道中流动，强化换热，确保芯片不超温。

主权项

1.一种基于逆压电效应的3D芯片封装冷却结构，其特征在于，包括：用于3D芯片的封装腔和分别与封装腔左右两侧相连的振动驱动腔，其中：封装腔内设有沿厚度方向堆叠的若干芯片，上下两层芯片之间以及底层芯片与封装腔之间均设有储存块，该储存块排布在上下层间形成若干横向微通道，该微通道内充注冷却工质；两个振动驱动腔内均设有压电驱动器，冷却工质在压电驱动器的振动驱动下在微通道内震荡流动；所述的压电驱动器包括：振动片、压电片和轴腔，其中：轴腔前后两端均设有竖向轴孔，轴孔分别与振动驱动腔的内侧前后壁面相连，轴孔设有伸缩轴，振动片的端部为空心圆柱结构，套于伸缩轴上并可转动，压电片小于振动片、与振动片一侧粘接。