[发明专利]一种纳米结构电介质电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610634352.1 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106683881B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 朱绪飞;范昊雯;王晶;张伟康;廖茂颖;宋晔 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/08;H01G4/10;C25D11/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红;朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米结构电介质电容器及其制备方法，首先通过阳极氧化技术制备有序氧化钛纳米管阵列膜，然后进行氮化将氧化钛纳米管阵列膜转变为氮化钛纳米管阵列膜，再在氮化钛纳米管阵列表面利用阳极氧化保形性地制备氧化钛电介质膜，最后均匀沉积一层导电高分子膜作为对电极，形成氮化钛/氧化钛/导电高分子体系的全固态纳米电介质电容器。本发明通过简单的阳极氧化技术，可以实现电介质电容器比容量的大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质电容器 制备 氧化钛纳米管阵列 氮化钛纳米管 阳极氧化技术 纳米结构 氧化钛 导电高分子膜 导电高分子 电介质膜 均匀沉积 阳极氧化 阵列表面 氮化 比容量 氮化钛 对电极 全固态 阵列膜 保形 | ||
【主权项】：
一种纳米结构电介质电容器，其特征在于，包括钛基体、氮化钛纳米管阵列、氧化钛电介质膜、导电高分子薄膜，所述的氮化钛纳米管阵列设置在钛基体上，所述的氧化钛电介质膜设置在氮化钛纳米管阵列上，所述的导电高分子薄膜设置在氧化钛电介质膜上，所述电容器通过如下步骤制备：步骤1、在钛基体上制备有序TiO2纳米管阵列；步骤2、将有序TiO2纳米管阵列在NH3气氛下煅烧，得到氮化钛纳米管阵列；步骤3、对氮化钛纳米管阵列进行阳极氧化，在其表面生成氧化钛电介质膜，得到氮化钛/氧化钛纳米管阵列结构；步骤4、将氮化钛/氧化钛纳米管阵列结构浸入到导电高分子聚合溶液中，通过光引发电化学聚合反应在氧化钛电介质膜表面生成导电高分子，即得到所述的氮化钛/氧化钛/导电高分子的纳米结构电介质电容器。
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