[发明专利]一种多晶硅片背面钝化工艺

摘要

本发明涉及多晶硅太阳能电池生产领域，具体是一种多晶硅片背面钝化工艺。一种多晶硅片背面钝化工艺，放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止；通入氧气进行氧化。使用本发明的钝化工艺可以有效提高多晶电池的开压达10mV，多晶电池的转换效率也有0.5%的提高。

主权项

一种多晶硅片背面钝化工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：步骤一、放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，以5摄氏度/分钟持续升温至 970摄氏度，保温12分钟；步骤二、保持温度970摄氏度不变，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；步骤三、保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止；步骤四、通入氧气进行氧化，同时以5摄氏度/分钟持续降温至 820摄氏度，保温10分钟，停止通入氧气，在氮气环境下自然冷却。