[发明专利]一种阈值电压可调的GaN基增强型高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201610633129.5 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106298908A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;李雪阳;侯明辰;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阈值电压可调的GaN基增强型高电子迁移率晶体管。本发明在衬底上从下至上依次涂覆有GaN缓冲层和AlGaN势垒层，GaN缓冲层和AlGaN势垒层的一侧边缘刻蚀有沟槽，在沟槽底的GaN缓冲层上表面覆有金属源电极，在AlGaN势垒层上表面远离沟槽一侧边缘覆有金属漏电极，在金属漏电极与金属源电极之间涂覆有绝缘电介质，且绝缘电介质完全覆盖源电极；位于垂直导电沟道附近的绝缘电介质上涂覆有栅极金属。本发明通过垂直沟道的深度来降低沟道电阻，通过离子注入和表面处理及栅极金属的选择上调节HEMT器件阈值电压，使其能够更好地满足中低压(低于600V)功率应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 可调 gan 增强 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种阈值电压可调的GaN基增强型高电子迁移率晶体管，其特征在于：在衬底(1)上从下至上依次涂覆有GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)，GaN缓冲层(2)与AlGaN势垒层(3)接触形成具有二维电子气(4)的异质结；在GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)的一侧边缘刻蚀有沟槽，沟槽过刻至GaN缓冲层(2)，在沟槽底的GaN缓冲层(2)上表面覆有金属源电极(6)，在AlGaN势垒层(3)上表面远离沟槽一侧边缘覆有金属漏电极(5)，在金属漏电极(5)与金属源电极(6)之间涂覆有绝缘电介质(7)，且绝缘电介质(7)完全覆盖源电极(6)；位于垂直导电沟道(9)附近的绝缘电介质(7)上涂覆有用于调整阈值电压的栅极金属(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610633129.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
