[发明专利]用于从SRAM存储器中读取数据的集成电路装置和方法有效
| 申请号： | 201610630055.X | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106448741B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 纳赫·恩靳;阿杰伊·卡谱 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/50;G06F11/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例公开了IC装置。在实施例中，IC装置包括：静态随机存取存储器(SRAM)的位单元的阵列；多级数字化模块，该多级数字化模块被配置成从该位单元的阵列中的位单元生成在值的范围内的值，该值的范围包括两个以上离散值；输出缓冲器，该输出缓冲器被配置成存储所生成的值；以及错误校正码(ECC)解码器，该错误校正码(ECC)解码器被配置成基于所存储的值输出错误校正值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 存储器 读取 数据 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)装置，其特征在于，包括：静态随机存取存储器(SRAM)的位单元的阵列；多级数字化模块，所述多级数字化模块被配置成从所述位单元的阵列中的位单元生成在值范围内的值，所述值范围包括两个以上离散值；输出缓冲器，所述输出缓冲器被配置成存储所述所生成的值；以及错误校正码(ECC)解码器，所述错误校正码(ECC)解码器被配置成基于所述所存储的值输出错误校正值。
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