[发明专利]静电放电ESD保护器件以及保护电路的方法有效
| 申请号： | 201610626293.3 | 申请日： | 2016-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107680956B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李浩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电放电ESD保护器件以及保护电路的方法，涉及半导体技术领域。该ESD保护器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的半导体鳍片，所述半导体鳍片包括：第一区域、第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别与所述第一区域邻接且互相间隔开；以及在所述半导体鳍片上的栅极结构；其中，所述栅极结构与所述第一掺杂区电连接至相同电位。本发明实现了将栅极结构与第一掺杂区电连接至相同电位。进一步地，本发明可以减小ESD保护器件性能下降的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 半导体鳍片 栅极结构 电位 第一区域 电连接 衬底 半导体 半导体技术领域 静电放电ESD 保护器件 互相间隔 性能下降 邻接 减小 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电ESD保护器件，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n位于所述半导体衬底上的半导体鳍片，所述半导体鳍片包括：第一区域、第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别与所述第一区域邻接且互相间隔开；以及/n在所述半导体鳍片上的栅极结构；/n其中，所述栅极结构与所述第一掺杂区电连接至相同电位；/n所述第一区域具有第一导电类型，所述第一掺杂区具有所述第一导电类型，所述第二掺杂区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；/n所述栅极结构包括在所述半导体鳍片的一部分表面上的栅极绝缘物层、在所述栅极绝缘物层上的栅极以及在所述栅极两侧表面上的间隔物；其中，所述栅极与所述第一掺杂区电连接至相同电位，所述第二掺杂区电连接至接收外部信号的信号输入端；/n所述栅极包括：在所述栅极绝缘物层上的功函数调节层以及在所述功函数调节层上的导电材料层；/n其中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述功函数调节层为P型功函数调节层；或者，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述功函数调节层为N型功函数调节层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610626293.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
