[发明专利]紫外线照射装置及紫外线照射方法有效
| 申请号： | 201610622675.9 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106409723B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 稻尾吉浩;小西清孝;佐藤晶彦;细田浩 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3105;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及紫外线照射装置及紫外线照射方法。本发明的课题在于提供一种可抑制在收容部内产生粒子、保持基板清洁的紫外线照射装置。本发明的紫外线照射装置包括：收容部，所述收容部可在密闭空间内收容基板；照射部，所述照射部被设置于上述收容部的外部，可向上述基板照射紫外线；和移动部，所述移动部被设置于上述收容部的外部，使上述照射部在上述收容部的外部移动，以使得从上述收容部的外部向被收容在上述收容部的内部的上述基板照射上述紫外线。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 照射 装置 方法 | ||
【主权项】：
紫外线照射装置，其包括：收容部，所述收容部可在密闭空间内收容基板，照射部，所述照射部被设置于所述收容部的外部，可向所述基板照射紫外线，和移动部，所述移动部被设置于所述收容部的外部，使所述照射部在所述收容部的外部移动，以使得从所述收容部的外部向被收容在所述收容部的内部的所述基板照射所述紫外线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
