[发明专利]抗击穿的HEMT衬底和器件在审
| 申请号： | 201610621098.1 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106409900A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉;I·多米勒尔;M·胡贝尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新,蔡洪贵 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是抗击穿的HEMT衬底和器件。一种具有主表面和后表面的化合物半导体器件结构包括包括第一和第二衬底层的硅衬底。所述第一衬底层延伸至所述后表面。所述第二衬底层延伸至所述硅衬底的与所述后表面相反的第一侧，使得所述第一衬底层通过所述第二衬底层与所述第一侧完全分隔开。成核区在所述硅衬底的所述第一侧上形成并且包括氮化物层。晶格过渡层在所述成核区上形成并且包括类型III‑V族半导体氮化物。所述晶格过渡层被配置成用于减轻由于所述化合物半导体器件结构中的所述硅衬底与其他层之间的晶格失配而在所述硅衬底中产生的应力。所述第二衬底层被配置成用于抑制所述硅衬底中的反型层。 | ||
| 搜索关键词： | 抗击 hemt 衬底 器件 | ||
【主权项】：
一种具有主表面和与所述主表面相反的后表面的化合物半导体器件结构，所述化合物半导体器件结构包括：包括第一和第二衬底层的硅衬底，所述第一衬底层延伸至所述后表面，所述第二衬底层延伸至所述硅衬底的与所述后表面相反的第一侧，使得所述第一衬底层通过所述第二衬底层与所述第一侧完全分隔开；形成在所述硅衬底的所述第一侧上并且包括氮化物层的成核区；以及形成在所述成核区上并且包括类型III‑V族半导体氮化物的晶格过渡层，其中，所述晶格过渡层被配置成用于减轻由于所述化合物半导体器件结构中的所述硅衬底与其他层之间的晶格失配而在所述硅衬底中产生的应力，以及其中，所述第二衬底层被配置成用于抑制所述硅衬底中的在所述硅衬底与所述成核区之间的界面处产生的反型层。
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