[发明专利]一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法

摘要

本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机，上盘和下盘为合成树脂锡盘，配上粒径为W0.5的金刚石抛光液，将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上，其中上盘设为螺旋凹槽条纹，两条凹槽间距为1.5mm，凹槽深度为15μm，下盘为同心圆槽条纹，两条凹槽间距为1mm，凹槽深度为20μm，压力为100‑500g/cm²，转速为10‑40r/min，金刚石抛光液的流量为5ml‑20ml/min。使用合成树脂锡盘，配上金刚石抛光液，大大缩短了加工时间，提高了加工效率，由于划痕深度小，为后面化学机械抛光工序奠定了基础。采用锡盘双面抛光，可以获得更高的去除速率和表面质量。

主权项

 一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法，其特征在于，使用双面抛光机，上盘和下盘为合成树脂锡盘，配上粒径为W0.5的金刚石抛光液，将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上，其中上盘设为螺旋凹槽条纹，并且相近的两条凹槽间距为1.5mm，凹槽深度为15μm，下盘为同心圆槽条纹，并且相近的两条凹槽间距为1mm，凹槽深度为20μm，压力为100‑500g /cm²，转速为10‑40 r /min，金刚石抛光液的流量为5ml‑20ml /min。