[发明专利]一种半导体凸块制程用正胶去胶液在审
| 申请号： | 201610618064.7 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106154772A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 戈烨铭 | 申请（专利权）人： | 江阴润玛电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 孙燕波 |
| 地址： | 214423 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体凸块制程用正胶去胶液，包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂35～60%，有机胺类10～50%，金属保护剂0.05～0.1%，表面活性剂0.05～0.1%，表面活性助剂0.01～0.04%，余量为纯水。本发明的正胶去胶液体系稳定性提高，使用寿命长，表面张力低，对微小缝隙处的光刻胶去除效果好；在有效清除胶的同时亦不会对半导体凸块基板金属层造成腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 凸块制程用正胶去胶液 | ||
【主权项】：
一种半导体凸块制程用正胶去胶液，其特征在于：包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂 35～60%，有机胺类 10～50%，金属保护剂 0.05～0.1%，表面活性剂 0.05～0.1%，表面活性助剂 0.01～0.04%，余量为纯水。
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