[发明专利]半导体受光元件

摘要

得到一种半导体受光元件，该半导体受光元件能够抑制漏电流、防止受光灵敏度的降低。在半绝缘衬底(1)之上依次层叠有缓冲层(2)、p型接触层(3)、光吸收层(4)、p型电场缓和层(6)、电子倍增层(7)、n型电场缓和层(8)以及n型接触层(10)。缓冲层(2)具有使InP层(2a)和Al_xGa_yIn_1‑x‑yAs层(2b)交替地层叠的超晶格，缓冲层(2)不吸收由光吸收层(4)进行吸收的波段的光，其中，0.16≤x≤0.48，0≤y≤0.31。

主权项

1.一种半导体受光元件，其特征在于，具有：半绝缘性衬底；以及在所述半绝缘性衬底之上依次层叠的缓冲层、p型接触层、光吸收层、p型电场缓和层、电子倍增层、n型电场缓和层以及n型接触层，所述缓冲层具有使厚度0.02～0.05μm的InP层和厚度0.02～0.05μm的AlxGayIn1‑x‑yAs层交替地层叠的超晶格，所述缓冲层形成相对于电子的障壁，不吸收由所述光吸收层进行吸收的波段的光，其中，0.16≤x≤0.48，0≤y≤0.31。