[发明专利]一种FET微波噪声模型建立方法有效
| 申请号： | 201610617247.7 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106250622B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路制造领域，公开了一种FET微波噪声模型建立方法，包括：将FET电极划分为四个区域，栅极输入结构、漏极输出结构、源极接地结构、有源区电极，采用全波电磁场方法模拟微波信号在FET电极中的传输特性，获得各个区域的S参数；将FET有源区电极转换为等效电路模型，将获得的栅极输入结构的S参数、漏极输出结构的S参数以及源极接地结构的S参数分别接入三个连接端口，获得FET无源电极模型；对FET进行在片测试，获得小信号和噪声测试数据，并基于测试数据，经过去嵌入处理，获得FET本征部分的小信号参数和噪声源；将小信号参数和噪声源，按照端口对应关系，接入FET无源电极模型中，获得FET的微波噪声模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fet 微波 噪声 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FET微波噪声模型建立方法，其特征在于，包括如下内容：S101，将FET电极划分为四个区域，分别为栅极输入结构、漏极输出结构、源极接地结构、有源区电极，采用全波电磁场方法模拟微波信号在所述FET电极中的传输特性，获得各个区域的S参数；S102，将FET有源区电极转换为等效电路模型，所述等效电路模型包括与外部连接的三个连接端口，将S101中获得的栅极输入结构的S参数、漏极输出结构的S参数以及源极接地结构的S参数分别接入等效电路模型的三个连接端口，获得FET无源电极模型；S103，对FET进行在片测试，获得小信号和噪声测试数据，并基于所述测试数据，经过去嵌入处理，获得FET本征部分的小信号参数和噪声源；S104，将S103中获得的小信号参数和噪声源，按照端口对应关系，接入S102获得FET无源电极模型中，获得FET的微波噪声模型。
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