[发明专利]一种硅锗纳米线的制作方法在审
| 申请号： | 201610613954.9 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106229256A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王勇;王瑛;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞华南设计创新院;广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B；(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C；(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D；(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积40纳米宽的金属铂；(8)利用金属铂为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层B、硅锗沟道层B、锗牺牲层A、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除金属铂；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片(2)在该基片上生长40纳米厚的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在硅锗沟道层A上生长40纳米厚的P型掺杂的锗牺牲层B；(4)在锗牺牲层B上生长40纳米厚的P型掺杂的硅锗沟道层C；(5)在硅锗沟道层C上生长40纳米厚度的P型掺杂锗牺牲层D(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻制作中间是40纳米宽、1微米长纳米带，两端是10微米见方正方形的电子束胶图形；(8)利用电子束光刻胶为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层D、硅锗沟道层C、锗牺牲层B、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除电子束光刻胶；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层B和锗牺牲层D；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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