[发明专利]葛根的快速繁殖方法在审
| 申请号： | 201610612104.7 | 申请日： | 2016-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106172004A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张玉薇 | 申请（专利权）人： | 张玉薇 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 柳州市集智专利商标事务所 45102 | 代理人： | 韦永青 |
| 地址： | 545006 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种葛根的快速繁殖方法，涉及植物组织培养技术领域。本发明选用葛根茎尖作为外植体，芽诱导培养基以MS培养基为基本培养基，添加0.25毫克/升～0.35毫克/升2，4‑二氯苯氧醋酸；生根培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25毫克/升～0.3毫克/升萘乙酸以及0.1毫克/升～0.2毫克/升赤霉素；壮苗培养基以2/3MS培养基为基本培养基，添加0.3毫克/升～0.5毫克/升萘乙酸；茎尖的萌发率均达92％以上，生根率可达91％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 葛根 快速 繁殖 方法 | ||
【主权项】：
一种葛根的快速繁殖方法，其特征在于依次包括外植体消毒、芽诱导培养、生根培养、壮苗培养、炼苗培养阶段；其中，外植体选用葛根茎尖；所述芽诱导培养基以MS培养基为基本培养基，添加0.25毫克/升～0.35毫克/升2，4‑二氯苯氧醋酸；所述生根培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25毫克/升～0.3毫克/升萘乙酸以及0.1毫克/升～0.2毫克/升赤霉素；所述壮苗培养基以2/3MS培养基为基本培养基，添加0.3毫克/升～0.5毫克/升萘乙酸；芽诱导培养阶段的光照为1800LUX～2000LUX，温度为23℃～25℃；生根养阶段的光照为1600LUX～1700LUX，温度为22℃～26℃；壮苗培养阶段的光照为1750LUX～2000LUX，温度为24℃～27℃。
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