[发明专利]一种霍山石斛四倍体的培育方法在审
| 申请号： | 201610611380.1 | 申请日： | 2016-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN106212282A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 韩冬 | 申请（专利权）人： | 安徽斛生记生物科技有限公司 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00;A01H1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230001 安徽省六*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种霍山石斛四倍体的培育方法，该方法是针对霍山石斛特殊的生理特征，通过霍山石斛蒴果，经清洗、消毒后将蒴果在无菌培养基皿内剪开，取出种胚进行无菌培养，使种胚萌发为绿色种胚原球茎；再将原球茎接种于添加有二甲基亚砜和秋水仙素的出牙诱导培养基上进行诱导，再转移到不含二甲基亚砜和秋水仙素的培养基上进行培养，得到霍山石斛四倍体植株。所述方法培育出的霍山石斛四倍体植株具有较强的生态适应性，对逆境有较好的抗耐性，由于染色体的加倍，使得霍山石斛具有较高的药用成分，具有较广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍山 石斛 四倍体 培育 方法 | ||
【主权项】：
一种霍山石斛四倍体的培育方法，其特征在于：所述培育方法包括以下步骤：将霍山石斛蒴果，经清洗、消毒后将蒴果在无菌培养基皿内剪开，取出种胚进行无菌培养，使种胚萌发为绿色种胚原球茎；再将原球茎接种于添加有二甲基亚砜和秋水仙素的出牙诱导培养基上进行诱导，再转移到不含二甲基亚砜和秋水仙素的培养基上进行培养，得到霍山石斛四倍体植株。
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