[发明专利]磁场传感器在审
| 申请号： | 201610609426.6 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106405455A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | U.奥瑟莱希纳;F.海因里克斯;H.科克;T.维尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁场传感器。磁场传感器的实施例包括磁场传感器布置和磁性体，其例如具有相对于延伸通过磁性体的横截面的非凸横截区域，该磁性体具有非均匀磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁场传感器，包括：磁场传感器布置；以及背偏置磁体，所述背偏置磁体包括非均匀磁化。
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