[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201610609175.1 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN106409868B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 金东秀;朴晋佑;卞昌洙;崔竣源;玄宙羲;郭源奎;严基明 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种有机发光二极管显示器。在一个方面,有机发光二极管显示器包括:包括第一子像素区域和与第一子像素区域相邻的第二子像素区域的基板;以及分别设置在第一子像素区域和第二子像素区域中的第一驱动电路和第二驱动电路。第一驱动电路和第二驱动电路包括第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT。有机发光二极管显示器进一步包括被分别电连接到第一驱动电路和第二驱动电路的第一像素电极和第二像素电极、以及面对第一像素电极和第二像素电极的公共电极。第一有机发射层被插入在第一像素电极和公共电极之间,且第二有机发射层被插入在第二像素电极和公共电极之间,并且遮光构件被配置为遮挡入射光。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示器,包括:包括第一子像素区域和第二子像素区域的基板;设置在所述第一子像素区域中并包括第一薄膜晶体管的第一驱动电路,所述第一薄膜晶体管包括:i)包括第一源区、第一沟道区和第一漏区的第一有源图案及ii)与所述第一有源图案绝缘的第一栅电极;设置在所述第二子像素区域中并包括第二薄膜晶体管的第二驱动电路,所述第二薄膜晶体管包括:i)包括第二源区、第二沟道区和第二漏区的第二有源图案及ii)与所述第二有源图案绝缘的第二栅电极;分别电连接到所述第一驱动电路和所述第二驱动电路的第一像素电极和第二像素电极;面对所述第一像素电极和所述第二像素电极的公共电极;以及遮挡入射光的遮光构件,其中所述遮光构件设置在所述第二薄膜晶体管上,其中所述第一像素电极的至少一部分在所述有机发光二极管显示器的深度维度上与所述第一源区和所述第一漏区中的至少一个重叠,并且其中所述遮光构件的至少一部分在所述有机发光二极管显示器的所述深度维度上与所述第二源区和所述第二漏区中的至少一个重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的