[发明专利]用于将绝缘衬底焊接在载体上的方法有效
申请号: | 201610607821.0 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN106486342B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | C·兰贝尔-里维埃;J-L·德波尔德;M·哈勒尔;N·A·扎纳特拉;V·瓦托罗梅 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/3105 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于借助预先给定的焊料(4)将绝缘衬底(2)焊接在载体(3)的衬底安装部段(32)上的方法,其中绝缘衬底(2)具有介电的绝缘载体(20),上侧(2t)以及与上侧(2t)对置的下侧(2b)。在该方法中根据标准选择绝缘衬底(2),该标准由此推断,即当绝缘衬底(2)具有焊料(4)的固相线温度时,绝缘衬底(2)具有正的不均匀度(UE2)。在绝缘衬底(2)的下侧(2b)处将所选择的绝缘衬底(2)与衬底安装部段(32)焊接在一起,使得固化的焊料(4)在焊接之后贯穿地从绝缘衬底(2)的下侧(2b)延伸到衬底安装部段(32);在焊接之前或之后,在绝缘衬底(2)的上侧(2t)装配至少一个半导体芯片(1)。 | ||
搜索关键词: | 用于 绝缘 衬底 焊接 载体 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于借助预先给定的焊料(4)将绝缘衬底(2)焊接在载体(3)的衬底安装部段(32)上的方法,其中所述绝缘衬底(2)具有介电的绝缘载体(20),上侧(2t)以及与所述上侧(2t)对置的下侧(2b),并且其中所述方法包括:根据标准选择绝缘衬底(2),所述标准由当所述绝缘衬底(2)具有所述焊料(4)的固相线温度时,所述绝缘衬底(2)具有正的不均匀度(UE2)来推断;在所述绝缘衬底(2)的所述下侧(2b)处将所选择的绝缘衬底(2)与所述衬底安装部段(32)焊接在一起,使得固化的所述焊料(4)在焊接之后贯穿地从所述绝缘衬底(2)的所述下侧(2b)延伸到所述衬底安装部段(32);在所述焊接之前或之后,在所述绝缘衬底(2)的所述上侧(2t)装配至少一个半导体芯片(1),其中进行所述选择所依据的所述标准或者在于,在所述焊接之前,所选择的绝缘衬底(2)从小于所述焊料(4)的所述固相线温度(TS)的起始温度(T0)开始加热到高于所述焊料(4)的液相线温度(TL)的预先给定的最大温度(TMAX)并且在之后被冷却,使得所选择的绝缘衬底(2)再次达到所述焊料(4)的所述固相线温度(TS),并且使得所选择的绝缘衬底(2)基于确定被选择,即在再次达到所述焊料(4)的所述固相线温度(TS)的情况下,其具有正的不均匀度(UE2);或者在于,在所述焊接之前,来自生产批次中的包括N个样本‑绝缘衬底的样本中的每一个从小于所述焊料(4)的所述固相线温度(TS)的起始温度(T0)开始加热到高于所述焊料(4)的液相线温度(TL)的预先给定的最大温度(TMAX)并且在之后被冷却,使得所选择的绝缘衬底(2)再次达到所述焊料(4)的所述固相线温度(TS),并且使得所选择的绝缘衬底(2)基于确定从生产批次中被选择,即N个样本‑绝缘衬底中的每一个在再次达到所述焊料(4)的所述固相线温度(TS)的情况下具有正的不均匀度(UE2)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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