[发明专利]高填充红外探测器像元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610605284.6 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106430076B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01J5/22 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高填充红外探测器像元结构及其制备方法，包括在硅衬底上形成导电梁结构和导电梁结构上形成红外探测结构；每一层导电沟槽的底部与其下方相邻层的导电沟槽的顶部分别接触连接于一导电梁的两端；其中一层导电沟槽的底部与导电金属区相接触；导电梁结构的最顶层中具有顶层导电沟槽和顶层导电梁；顶层导电梁与红外探测结构相接触连接，使微桥结构位于导电梁结构之上，每一层的导电沟槽和导电梁构成了迂回阶梯状的结构，从而使微桥结构产生的电信号的传输路径呈迂回阶梯状；微桥结构产生的电信号从顶层导电梁传输到顶层导电沟槽的顶部，再传输到顶层导电沟槽的底部，经过多层导电沟槽和导电梁之间的传输，最后传输到导电金属区。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 红外探测器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种红外探测器像元结构，位于一硅衬底上，硅衬底表面具有导电金属区；红外探测结构，位于硅衬底上方，用于探测红外光并产生电信号；导电梁结构，与红外探测结构相电连，用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区；其特征在于，导电梁结构包括：位于导电梁结构最顶层的导电梁，以及多层导电沟槽；每一层导电沟槽的底部与其下方相邻层的导电沟槽的顶部分别连接于一导电梁的两端；其中一层导电沟槽的底部与导电金属区相接触；导电梁结构的最顶层中具有顶层导电沟槽和顶层导电梁；顶层导电梁与红外探测结构相连接，使所述红外探测结构位于导电梁结构之上，每一层的导电沟槽和导电梁构成了迂回阶梯状的结构，从而使所述红外探测结构产生的电信号的传输路径呈迂回阶梯状；红外探测结构产生的电信号从顶层导电梁传输到顶层导电沟槽的顶部，再传输到顶层导电沟槽的底部，经过多层导电沟槽和导电梁之间的传输，最后传输到导电金属区。
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