[发明专利]用于管理EEPROM存储器存取晶体管的击穿的装置和方法有效
| 申请号： | 201610603037.2 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107093460B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性电可擦除和可编程存储器类型的存储器装置，包括，连接至位线(BL)的存储器单元(CEL)的矩阵存储板(PM)，配置用以选择存储器单元(CEL)并施加编程脉冲(VSBL)至对应位线(BL)的编程装置(MPR)。根据通常特征，存储板(PM)位于处于浮置电势的局部阱(PW)中，并且编程装置(MPR)配置用于增加所述局部阱(PW)的电势而同时施加编程脉冲至已被选存储器单元(CEL)的位线(BL)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 管理 eeprom 存储器 存取 晶体管 击穿 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性电可擦除和可编程存储器类型的存储器装置，包括连接至位线(BL)的存储器单元(CEL)的矩阵存储板(PM)，被配置用于选择存储器单元(CEL)并施加编程脉冲(VSBL)至对应的位线(BL)的编程装置(MPR)，其特征在于，所述存储板(PM)位于处于浮置电势的局部阱(PW)中，并且所述编程装置(MPR)被配置用于增加所述局部阱(PW)的电势并同时施加所述编程脉冲至所选的存储器单元(CEL)的位线(BL)。
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