[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201610597420.1 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106229397B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杨兰;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02;C23C16/44;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：进行多个阶段的升温，再将衬底在纯氢气气氛下进行热处理；降低温度沉积缓冲层；进行多个阶段的升温，再生长过渡层，过渡层为从二维生长先转为三维生长再转为二维生长的AlGaN层；升高温度沉积非掺杂GaN层；生长掺杂Si的GaN层，形成N型层；交替生长InGaN层和GaN层，形成多量子阱层；生长掺杂Mg的AlGaN层，形成P型电子阻挡层；生长掺杂Mg的GaN层，形成P型层；生长掺杂Mg的GaN层，形成P型接触层；同一阶段的温度恒定，且不同阶段的温度随时间的增长而升高。本发明适应大尺寸外延片的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：进行多个阶段的升温，再将衬底在纯氢气气氛下进行热处理；降低温度沉积缓冲层；进行多个阶段的升温，再生长过渡层，所述过渡层为从二维生长先转为三维生长再转为二维生长的AlGaN层；升高温度沉积非掺杂GaN层；生长掺杂Si的GaN层，形成N型层；交替生长InGaN层和GaN层，形成多量子阱层；生长掺杂Mg的AlGaN层，形成P型电子阻挡层；生长掺杂Mg的GaN层，形成P型层；生长掺杂Mg的GaN层，形成P型接触层，所述P型接触层的厚度小于所述P型层的厚度；其中，同一所述阶段的温度恒定，且不同所述阶段的温度随时间的增长而升高。
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