[发明专利]一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法有效
| 申请号： | 201610597211.7 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106297887B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;唐伟;张怀东 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C29/50 |
| 代理公司： | 广东深宏盾律师事务所 44364 | 代理人： | 赵琼花;康宇宁 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明所涉及一种用于提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法，包括：寄存器、MOS管开关阵列、基准源、电荷泵以及EEPROM存储器。本发明充分利用EEPROM存储器数据在芯片掉电时可以保存足够长时间的特点，在EEPROM存储区专门划分出一小部分作为修正专用区域。其特点在于：芯片测试模式时，先用普通寄存器来调整升压电路的精度，当得到准确的升压电路的电压值时，EEPROM可以正常编程，把寄存器中的数据存储在EEPROM修正专用区域。本发明电路所占芯片面积小，成本低。除此之外，电路中的寄存器可以反复扫描，且可以修正位数比较高，所以修正精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 eeprom 存储器 编程 精度 升压 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路，包括：基准源、电荷泵、EEPROM存储器，其特征在于，还包括：寄存器以及MOS管开关阵列；所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据；所述MOS管开关阵列通过控制开关控制基准源的电压；所述基准源通过改变电阻大小控制输出电压；所述电荷泵输出用于存储器编程的输出电压；所述存储器中存入能正常写入存储器时的电压所对应的MOS管开关阵列数据，存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域；在读取模式时，读取存储器中存入的数据，直接输出适于写入的电荷泵电压。
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